本文標(biāo)題："IC封裝就是從晶圓上切割下來(lái)的晶片-封裝檢測(cè)顯微鏡"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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溫度、電流及氯離子對(duì)金鋁微接點(diǎn)可靠度之研究
IC封裝就是從晶圓上切割下來(lái)的晶片經(jīng)過(guò)處理后，以塑膠或陶瓷等材料，將IC包覆在其中。
而封裝的功能主要在于將晶片極度密集的接點(diǎn)轉(zhuǎn)成標(biāo)準(zhǔn)的接點(diǎn)，使得IC方可做實(shí)地測(cè)試，
亦可達(dá)到保護(hù)晶片及接線(xiàn)。而金線(xiàn)打在晶片上的接合好壞會(huì)影響整個(gè)IC是否正常運(yùn)作，
如果其中有一個(gè)接點(diǎn)損壞，將造成整個(gè)元件失效，而導(dǎo)致機(jī)件部份功能喪失，甚至無(wú)法運(yùn)作，所以提高電子構(gòu)裝的可靠度是很重要的。
本實(shí)驗(yàn)將探討溫度、電流及氯離子對(duì)金鋁微接點(diǎn)可靠度之影響。在溫度的影響部份，由于試片在高溫時(shí)效處理過(guò)程中，
Au-wire與Al-pad會(huì)反應(yīng)形成的介金屬化合物，其演化過(guò)程會(huì)伴隨一些空孔的形成，是將造成微接點(diǎn)處與金線(xiàn)是否剝離。
將探討不同wire的金鋁微接點(diǎn)處介金屬化合相的演化與空孔形成機(jī)制。在電流的影響部份，
將探討高溫時(shí)效處理過(guò)程中其介金屬化合相的演化所伴隨著電阻值改變的分析，
及電流效應(yīng)對(duì)金鋁微接點(diǎn)的影響。在氯離子的影響部份，
將探討氯離子對(duì)金鋁微接點(diǎn)處的介金屬化合相所造成的腐蝕行為，
以釐清微接點(diǎn)受到破壞的反應(yīng)機(jī)制。另外此次研究亦將比較在真空狀態(tài)下，其反應(yīng)機(jī)制是否正常狀態(tài)下有所差異，進(jìn)而探討及說(shuō)明之。
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